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传统的可靠性评估方法一般基于失效寿命数据。对于高可靠长寿命的集成电路,很难通过加速试验获得其失效寿命时间。将性能退化理论引入到传统的可靠性评估中,采用基于退化轨迹的可靠性评估方法,对某型号CMOS工艺集成电路进行加速性能退化试验,利用引线键合强度的退化数据对退化轨迹进行模型拟合得到模型参数,统计分析得出了该器件的可靠性信息。