【摘 要】
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本研究采用纳米多孔铜作为键合层，有效降低了热压键合温度与压力。对于纳米热压键合而言，有助于降低键合温度与压力的可能因素包括:纳米尺寸效应、表面效应、叉指效应、纳米多
【机 构】
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华中科技大学 机械学院 武汉 430074
【出 处】
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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本研究采用纳米多孔铜作为键合层，有效降低了热压键合温度与压力。对于纳米热压键合而言，有助于降低键合温度与压力的可能因素包括:纳米尺寸效应、表面效应、叉指效应、纳米多孔铜杨氏模量降低，键合界面易于变形。目前，基于纳米热压键合技术己实现如下应用：a)用于三维封装多层堆叠键合；b)应用CNT(碳纳米管)的纳米封装与互连;C)功率器件散热用低温键合陶瓷覆铜板制备。
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