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提出了制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的一种设想,即借助脉冲激光沉积法(PLD)制备电池的钼层、铜铟镓硒吸收层和CdS缓冲层.借助脉冲激光沉积法把CuIn0.8Ga0.2Se2薄膜沉积到钼薄膜覆盖的钙钠玻璃上,XRD和拉曼光谱测试表明:室温衬底下沉积的CIGS薄膜具有非晶结构,随着衬底温度从200升高到500,CIGS薄膜的结晶度增强,最大晶粒尺寸达19.75nm.霍尔测试表明400衬底温度下薄膜的载流子浓度、霍尔迁移率和电阻率达到1018cm-3、2.722cm2V.1S-1、2.839Ωcm,适合作为铜铟镓硒薄膜太阳电池的吸收层.