【摘 要】
：
本文采用PI-4000 系列测试系统对GaN64 元线列焦平面进行测试，获取在不同频率下的线列焦平面性能，确定其最高工作频率，并对影响其最高工作频率的因素进行了分析，寻求提高最高工作频率，压缩读出时间，延长积分时间的途径。测试结果表明，GaN64元紫外焦平面的最高工作频率为1MHz，响应不均匀性小于2.5﹪，噪声为10-4V量级，100KHz时平均探测率达到8.58×109 cmHz1/2/W。
【机 构】
：
传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 上海华龙信息技术开发中心
论文部分内容阅读
本文采用PI-4000 系列测试系统对GaN64 元线列焦平面进行测试，获取在不同频率下的线列焦平面性能，确定其最高工作频率，并对影响其最高工作频率的因素进行了分析，寻求提高最高工作频率，压缩读出时间，延长积分时间的途径。测试结果表明，GaN64元紫外焦平面的最高工作频率为1MHz，响应不均匀性小于2.5﹪，噪声为10-4V量级，100KHz时平均探测率达到8.58×109 cmHz1/2/W。
其他文献
选用在甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯的共聚物（PMMA-GMA）中掺杂分散红（DR1）形成的主客掺杂型有机聚合体系作为研究对象，调节高真空下溅射铝的时间，在玻璃表面上分别制作低反射镜面(LRM)和高反射镜面(HRM)，将有机聚合物材料在低反射镜面上旋涂成膜，电晕极化后倒置在高反射镜面上构成不对称法布里－帕罗(AFP)腔。利用多光束干涉效应，将相位调制转换成幅度调制，用正面入射式电光检测系统测
本文给出了一种新型的有机发光二极管（OLED），发光层选用新型的具有光电效应、热稳定性好、有良好电子传输能力的小分子材料：苝酸四甲酯TMEP。比较了双层器件ITO/NPB/TMEP/Al 和单层器件ITO/TMEP/Al 的性能。双层器件的最低阈值电压为5V，器件发射红光，峰值为600nm。
本文采用激光分子束外延（L－MBE）的方法在Al2O3(0001) 衬底上生长了沿C轴高度取向一致的ZnO薄膜，并对其光学及结构特性进行了研究。以波长为325nm的氙灯（Xe 900）作为激发源，在室温下测量了薄膜的光致发光（PL）谱，观察到了380nm处的强的ZnO紫外近带边发射峰，其来源为自由激子的辐射复合。采用四晶高分辨X射线衍射仪（X`Pert MRD）对样品的结构特性进行了分析。XRD的
利用激光分子束外延（L-MBE）在蓝宝石（1-102）面上自组织外延生长了ZnO量子点。借助反射式高能电子衍射（RHEED）对ZnOl 量子点在蓝宝石（1-102）面的成核与生长过程进行了实时观察，采用X 射线衍射对样品进行了结构分析，并用AFM观察到了不同厚度ZnO样品的形貌变化。发现ZnO 在蓝宝石（1-102）面的生长为完全岛状生长模式；ZnO 量子点在生长比较薄的时候为金字塔形状，而随着生
我们利用量子电动力学计算了三层平行介质板中电磁场零点涨落，并用原子物理中发展成熟的闭合轨道理论探讨了原子自发辐射速率随介质板厚度的变化特性。研究结果表明：当保持发光原子与上下界面的距离之比不变时，随着介质板厚度的增加，原子自发辐射速率呈现衰减的多周期振荡现象。通过傅立叶变换，可得到原子自发辐射速率随厚度增加而振荡的频率，这些频率与光子从原子出发又回到原子的路径对应。本研究给出了一种新的对原子自发辐
报道了用LD 泵浦Nd:YAG 晶体的倍频激光作为抽运源，准连续运转的全固态高功率掺钛蓝宝石激光器。通过测量钛宝石激光器输出功率随输出镜透过率的变化关系,得到了最佳透过率。当泵光功率16W 时，得到了6.44W 的钛宝石激光最大输出，光-光转化效率大于40％。
本文建立了液态光敏剂光漂白及荧光检测装置，用该装置（输出连续激光波长为532nm）研究了溶于蒸馏水的血卟啉单甲醚（HMME）光漂白特性及漂白过程中光敏剂荧光光谱结构变化。结果表明：光敏剂溶液荧光强度与激光照射时间关系曲线适合于用双降指数函数拟和，因此，HMME 溶液中的光敏分子可能存在两个光解（或漂白）途径，其中处于游离态的光敏分子漂白时间很短，而处于聚合态的光敏剂分子漂白时间相对较长。另外，研究
本文利用平面波展开方法和超原胞方法研究了由正方形格子上放置正方形散射子和三角形格子上放置六角形散射子组成的异质结（SSTH 异质结）的带隙结构。并且研究了界面处导波模，得出获得最佳导波模时的光子晶体几何物理参数。研究发现对于SSTH 异质结，当沿着界面作晶格的横向拉开或者侧向滑移，都可产生界面态。支持了降低异质结界面之间的对称性的确有利于增加局域模数量的看法。这为通过改变参数而调节界面态以满足实际
离子束溅射技术以其在制备薄膜中的独特优点，成为获得高性能薄膜材料的重要手段。对于薄膜的制备，基片的温度是一个重要参数。本文主要从薄膜结构、应力和附着力三个方面总结了基片温度对离子束溅射工艺中薄膜生长的影响，并结合实际情况，介绍了在离子束刻蚀、溅射和磁控溅射镀膜工艺中的一些温度控制方法。在实际操作中，要根据沉淀薄膜的要求和离子束溅射的具体方法及设备，并结合基片本身的结构特点来考虑基片的控温措施及温度
本文提出了一种紧凑的级联Y 分叉功分器的设计。这种新设计将1× N功分器分为分叉区和扇出区两个区域。分析了新设计器件所需的长度，分析结果显示当N较大时，新设计能大幅压缩器件长度。作为该新设计结构的应用，我们设计了一个1×16 级联功分器，器件采用K+/Na+离子交换法制作在BK7 玻璃上，当S 弯曲最小曲率半径为35mm时，功分器的主体部分的长度为32mm，器件长度为普通级联Y 分叉功分器长度的8