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论水土流失和水土保持与生态安全的关系
【出 处】
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中国水土流失与生态安全综合科学考察及水土保持发展战略研讨会
【发表日期】
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2020年1期
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随着工艺尺寸的不断缩小以及新结构新工艺的发展，深亚微米器件也更加容易受到静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)冲击而导致失效，从而造成电路可靠性下降。栅接地NMOS（Gate Grounded NMOS，GGNMOS）作为CMOS技术中ESD保护器件的有效结构之一，具有泄放机理简单且与CMOS工艺完全兼容等一系列优点，已被广泛应用于ESD保护电路中。但在先进深亚微米CM
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