【摘 要】
：
采用气氛加压烧结制备了SiN-TiN(Ni)复合材料,对材料的烧结性能,导电性能及电火花加工(EDM)的状况和机理进行了初步研究.结果表明:添加少量金属Ni一方面改善了材料烧结性能,一方面降低了SiN-TiN系统形成网络导电所需TiN添加量.其中添加20wt﹪TiN、4wt﹪Ni的试样,在1750~1800℃,1.2MPa氮气压力下保温一小时以后相对密度达97﹪,复合材料具有较好的力学性能及电性能
【出 处】
：
第二届海内外中华青年学者材料科学技术研讨会暨第七届全国青年材料科学研讨会
论文部分内容阅读
采用气氛加压烧结制备了Si<,3>N<,4>-TiN(Ni)复合材料,对材料的烧结性能,导电性能及电火花加工(EDM)的状况和机理进行了初步研究.结果表明:添加少量金属Ni一方面改善了材料烧结性能,一方面降低了Si<,3>N<,4>-TiN系统形成网络导电所需TiN添加量.其中添加20wt﹪TiN、4wt﹪Ni的试样,在1750~1800℃,1.2MPa氮气压力下保温一小时以后相对密度达97﹪,复合材料具有较好的力学性能及电性能,电阻率小于氮化硅基陶瓷可电火花加工的电阻率值1Ω·cm.对该配方试样进行电火花加工,加工性能良好,电加工机理为熔融.
其他文献
通过电弧点燃方式进行Cu-TiB+TiC的自蔓延高温合成研究,应用粉末Ti,BC,Cu为原料,按照如下重量百分比例进行配料:90﹪Cu+10﹪(3Ti+BC);80﹪Cu+20﹪(3Ti+BC);70﹪Cu+30﹪(3Ti+BC);60﹪Cu+40﹪(3Ti+BC);50﹪Cu+50﹪(3Ti+BC).应用热力学计算和差热(DTA)分析,X-Ray衍射,光学显微镜等分析手段研究了自蔓延高温合成工艺
本文对MlNiCoSiAlMn的显微组织结构及电化学性能进行了系统的研究.以部分的Si代替了Co含量,以求进一步降低电极材料的价格、提高性能价格比.研究结果表明,当x=0.1、0.2时,合金的放电容量较大、活化速度快、大电流放电容量较高、放电电压稳定.X-ray衍射图样和扫描电镜观察表明:该系合金由两相LaNi与LaNi相组成,且随Si含量的提高,非储氢相LaNi相增加.
本文通过SEM等手段研究了热压条件下不同液相量(<12.5wt﹪)和A1N-多型体(<10wt﹪)对α-Sialon形貌的影响.结果表明,液相量增加可以促使α-Sialon晶粒在一定程度上发育成长颗粒.A1N-多型体的添加使α-Sialon更容易按照其本征特性发育成具有较大长径比的细颗粒.α-Sialon晶粒的生长主要是由界面反应控制,但组份对原料的溶解和扩散速率的影响也会影响到α-Sialon的
研究了不同状态钼的断裂韧性及其韧化机制.借助于拉伸、弯曲方法测定了Mo-LaO材料的断裂韧性K和塑——脆转变温度(DBTT),并用SEM、TEM、AES等方法对镧钼材料的变形、断裂特征和组织结构进行分析.研究结果表明:烧结态Mo-LaO的KIC值达到24.76MPa.m,是纯钼的2.5倍多,而且高于热锻空冷态TZM钼合金.经1900℃退火的镧钼板,其塑——脆转变温度降低至-60℃,较同样状态的纯钼
分别研究了钠盐和稀土杂质对BaTiO纳米晶材料湿敏元件电学性能的影响,结果表明钠盐和稀土金属氧化物都能降低湿敏元件的电阻和湿滞.掺钠盐的湿敏元件电阻较低,但长期稳定性不如掺稀土金属氧化物的湿敏元件.初步分析了掺杂影响湿敏材料特性的机理.
本文研究了细晶粒纯BaTiO陶瓷的介电性能与频率的关系,发现陶瓷的介电常数随测量频率有明显变化,细晶粒陶瓷的介电常数随测量频率减小缓慢增加,而常规材料呈明显的上升趋势.细晶粒材料在低频范围的频率稳定性远高于常规材料,并且陶瓷的共振频率随着晶粒尺寸的减小而降低.文章从微观结构与极化机理方面解释了出现这种现象的原因.
本文研究了微位移致动器中磁能到机械能的转换效率K.计算方法实分别计算其受压状态下的总磁能以及由磁弹耦合作用产生的机械能.通过计算发现Terfenol-D在其线形工作区间具有85﹪左右的转换效率,实压电材料的2~3倍,是一种极具前途的磁致伸缩材料.
本文采用高温光电子能谱方法对碳化LaO-Mo阴极材料表面La的价态进行了研究.实验结果表明,材料中的LaO可以被MoC还原成单质La.单质La的结合能高于LaO的结合能.首次从实验上证实单质Lad的结合能为835.96eV,并首次给出单质Lad结合能实验数值为852.23eV.
本文主要研究两种Mg-PSZ陶瓷材料,TS和MS(TS&MS grades),MS(拥有最大的强度),TS(拥有最好的热冲击阻抗).在这篇文章中,简单概括了TS和MS陶瓷材料的制造,微结构,热和机械性能.但主要阐述断裂韧性,抗热冲击性能及应用.
基于对溶质传输特性的定量估算,确定了HgMnTe晶体在ACRT-B生长过程溶质再分配的简化条件和计算模型,并用于晶体生长过程成分偏析的计算.结果表明,在ACRT-B法生长的HgMnTe e晶体中由于分凝Mn含量在初始区远高了平均值,随后逐渐降低.未端溶质含量则远低于平均值.只在晶锭中部很小的范围获得满足成分要求的晶段.而采用偏离理想成分配比的配料也能获得满足成分要求的晶段,并且在一定成分范围内随配