动态晶格应变对锰氧化物薄膜体系磁电输运性质的影响

来源 :第十四届全国磁学和磁性材料学术会议暨第二届全国磁热效应材料和磁制冷技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:freesown
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  本文探讨了0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(PMN-PT)单晶衬底上锰氧化物外延薄膜中动态和静态晶格应变对薄膜磁性和输运特性的影响。经实验表明,通过衬底上外加电场可实现薄膜中应变的动态调节,该应变变化可以大幅改变TMI/Tcoo附近的磁电阻行为。外电场诱导的晶格应变和极化效应同时影响输运性质:极化效应主要影响金属绝缘体转变温度TMI以下区域,而晶格应变则在TMI附近占主导地位。
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