【摘 要】
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使用激光脉冲沉积技术(Pulse Laser Deposition technique,PLD)制备了ZnO/n—Si同型异质结。部分样品在O2-800℃的条件下进行了1个小时的退火处理.对未退火样品(S1)和O2—800
【机 构】
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中国科学技术大学,物理系,安徽 合肥 230026
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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使用激光脉冲沉积技术(Pulse Laser Deposition technique,PLD)制备了ZnO/n—Si同型异质结。部分样品在O2-800℃的条件下进行了1个小时的退火处理.对未退火样品(S1)和O2—800℃退火样品(S2)进行了电流-电压-温度(I-V-T)。电容-电压(C-V)和热激电流(thermally stinulated current,TSC)的电学特性测量。并使用原子力显微镜(Atonic Force Microscoe,AFM)对样品表面形貌进行了表征。实验结果显示S1的载流子输运机制主要是遂穿,而S2的载流子输运机制可以用热发射模型描述。由于ZnO和Si之间存在大的晶格失配,ZnO沉积在Si衬底上形成多晶结构,未退火的硅基氧化锌中存在着高密度的界面态.通常可以使双肖特基势垒模型描述.具有双向导通的特点,然而我们发现所有样品的I-V曲线均表现出p—n结的整流特性并具有相类似的单向导通特性,但是S2的C-V曲线方向却与S1的C-V曲线方向相反,这意味着ZnO/n-Si异质结中的耗尽区内建场方向发生了改变。考虑到退火前后,ZnO/n—Si同型异质结中晶界和ZnO晶粒中本征缺陷浓度的变化,我们推测ZnO/n—Si异质结输运机制改变主要受到界面态密度的变化支配.
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