【摘 要】
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原子层沉积(ALD)[1]是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法.原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处.但在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种方式使每次反应只沉积一层原子.ALD 技术是一种在速率可控的条件下,通过一系列自限制表面饱和反应形成薄保型膜的沉积技术,由于它操作简单、具有可重复性、沉积薄膜均匀,所以是非常具有潜力的沉积技术.最近,J
【机 构】
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中南民族大学化学与材料科学学院催化材料科学国家民委
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原子层沉积(ALD)[1]是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法.原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处.但在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种方式使每次反应只沉积一层原子.ALD 技术是一种在速率可控的条件下,通过一系列自限制表面饱和反应形成薄保型膜的沉积技术,由于它操作简单、具有可重复性、沉积薄膜均匀,所以是非常具有潜力的沉积技术.最近,Jinshan Huo 等人[2]报道了利用原子层沉积法制备Cu 的方法及其相关表征结果,得到了均匀分散的Cu 膜.本文利用原子层沉积法沉积Cu,以Cu(hfac)2、H2 分别为Cu 源和还原剂,优化原子层沉积实验条件,在氧化物基底表面成功负载Cu,通过对制备得到的催化剂进行X 射线光电子能谱和透射电子显微镜表征,考察了催化剂的形态及组成,结果发现:a)经透射电子显微镜分析表明金属Cu 均匀分散在基底表面,并随原子层沉积循环次数的增加,基底表面负载的Cu 含量逐渐增加;b)催化剂的X 射线光电子能谱结果中有Cu 的2p峰(2p3/2 和2p1/2),对应于金属Cu 物种.结果表明:原子层沉积法制备得到分散性好的Cu基催化剂.
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