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本文报道了锡掺杂C60薄膜样品的扫描电镜,X-射线,紫外可见光吸收和电阻的测量结果,显示薄膜为纳米级颗粒组成,掺锡前后基本结构不变;掺锡后紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰显著下降,且三个峰位都有微小红移;电阻随温度增加而呈指数衰减,呈半导体型,霍尔效应证实为N型半导体.
掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究
【摘 要】
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本文报道了锡掺杂C60薄膜样品的扫描电镜,X-射线,紫外可见光吸收和电阻的测量结果,显示薄膜为纳米级颗粒组成,掺锡前后基本结构不变;掺锡后紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰
【机 构】
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广东工业大学应用物理系(广州)
【出 处】
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全国第二届纳米材料和技术应用会议
【发表日期】
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2001年期
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