【摘 要】
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利用X射线衍射、弱场介电温度谱、强场极化强度研究了不同La含量 (Pb1 -xLa2x 3) (Zr0 6 Sn0 3Ti0 1 )O3(0 0 0≤x≤ 0 12 ) (PLZSnT)陶瓷的相变与电学特性 .实验发现 ,
【机 构】
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陕西师范大学物理学与信息技术学院;同济大学功能材料研究所西安710062;上海200092;
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利用X射线衍射、弱场介电温度谱、强场极化强度研究了不同La含量 (Pb1 -xLa2x 3) (Zr0 6 Sn0 3Ti0 1 )O3(0 0 0≤x≤ 0 12 ) (PLZSnT)陶瓷的相变与电学特性 .实验发现 ,随La含量增大 ,室温下材料由铁电三方相 (x =0 0 0 )转变为反铁电四方相 (0 0 3≤x≤ 0 0 9)和立方相 (x=0 12 ) .介电测试表明 ,La含量增大 ,反铁电→顺电相变温度降低 ,峰值介电常量减小 .在x =0 0 6的PLZSnT三元相图中 ,反铁电四方相区扩大到Ti含量约为 18at% ,该系统反铁电陶瓷具有“窄、斜”型双电滞回线和“三电滞回线” ;在高Zr、高Sn区 ,反铁电→顺电相变呈现弥散相变和介电频率色散特征 ,即反铁电极化弛豫现象 .从ABO3钙钛矿结构的容忍因子 (t)和反铁电相的结构特征出发 ,讨论了La对Pb(Zr,Sn ,Ti)O3相变与电学性质的影响机理 .
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