用于SOI工艺的Ti/TiN/Al技术研究

来源 :中国电子学会第十三届青年学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qyqwoaini
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从理论上分析了当采用Ti 40nm+400℃ Al 450nm作为SOI流程的金属膜层时,器件参数异常甚至失效的原因,并通过实验验证了理论分析的正确性。在对实验数据进行对比分析后,得出了作为SOI流程的金属膜层的最佳结构:Ti40nm+101TiN60nm+400℃ Al 450nm。
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