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用于SOI工艺的Ti/TiN/Al技术研究
用于SOI工艺的Ti/TiN/Al技术研究
来源 :中国电子学会第十三届青年学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qyqwoaini
【摘 要】
:
从理论上分析了当采用Ti 40nm+400℃ Al 450nm作为SOI流程的金属膜层时,器件参数异常甚至失效的原因,并通过实验验证了理论分析的正确性。在对实验数据进行对比分析后,得出了作
【作 者】
:
聂圆燕
陈海峰
赵文彬
【机 构】
:
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏 无锡 214035
【出 处】
:
中国电子学会第十三届青年学术年会
【发表日期】
:
2007年期
【关键词】
:
工艺
金属膜层
最佳结构
实验验证
实验数据
器件参数
流程
理论分析
对比分析
失效
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从理论上分析了当采用Ti 40nm+400℃ Al 450nm作为SOI流程的金属膜层时,器件参数异常甚至失效的原因,并通过实验验证了理论分析的正确性。在对实验数据进行对比分析后,得出了作为SOI流程的金属膜层的最佳结构:Ti40nm+101TiN60nm+400℃ Al 450nm。
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