超辐射发光二极管的瞬时辐射效应实验研究

来源 :第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：555jl

【摘要】

：

抗Y射线瞬时辐射能力是考核光电器件可靠性的重要指标之一。在“强光一号”加速器上对少量超辐射发光二极管(SLD)进行了瞬时电离辐射实验,结果显示,在2.0×1011～2.5×101Irad(Si)/s的剂量率范围内,SLD的光输出功率对应通道的输出电压在辐照瞬间发生扰动,扰动持续数微秒到数十微秒后输出电压恢复正常。全部SLD样品在瞬时辐照后仍可正常工作,其中心波长与光谱宽度等光谱特性没有发生变化。

【作者】

：

Jian Jiao 焦健 Manqing Tan 谭满清 Xiaofeng Guo 郭小峰 Wentao GUO 郭文涛 Ningning SUN 孙宁宁

【机构】

：

Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China

【出处】

：

第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2012年11期

【关键词】

：

半导体器件超辐射发光二极管瞬时辐射效应光输出功率光谱特性

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