【摘 要】
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本实验选用P型硅作为蒸发膜料，用电子束蒸发的方法在导电玻璃上制备了一定厚度且均匀的硅薄膜，利用扫描电子显微镜观察了其微观表面形貌并做了能谱分析，利用分光光度计分析了其光学性质，利用四探针电阻测试仪对其进行电学性质的测量。结果表明，所制备的样品在可见光范围内具有好的吸收性，在衬底温度为200℃时的面电阻为8.5×104Ω/□，为后续硅薄膜太阳电池的制备工作可行性打下了基础。
【机 构】
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中山大学太阳能系统研究所 广州 510006 广州志坤光电科技有限公司 广州 511442
【出 处】
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07中国(华南地区)真空与光电技术论坛暨广东省真空学会学术年会
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本实验选用P型硅作为蒸发膜料，用电子束蒸发的方法在导电玻璃上制备了一定厚度且均匀的硅薄膜，利用扫描电子显微镜观察了其微观表面形貌并做了能谱分析，利用分光光度计分析了其光学性质，利用四探针电阻测试仪对其进行电学性质的测量。结果表明，所制备的样品在可见光范围内具有好的吸收性，在衬底温度为200℃时的面电阻为8.5×104Ω/□，为后续硅薄膜太阳电池的制备工作可行性打下了基础。
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