【摘 要】
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通过三维数值模拟,深入分析了P+ Plug区的深度、源区掺杂浓度、漏极偏置、入射离子的LET值、入射角度和入射位置对功率UMOSFET (U-Shape Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,槽栅型场效应晶体管)的SEB (Single Event Burnout,单粒子烧毁)敏感性的影响.模拟结果表明：增大P+Plug区深度、降低源区
【机 构】
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强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安 710024;西北核技术研究所,西安 710024
【出 处】
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第十届全国“三核”论坛暨江西省核学术年会
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通过三维数值模拟,深入分析了P+ Plug区的深度、源区掺杂浓度、漏极偏置、入射离子的LET值、入射角度和入射位置对功率UMOSFET (U-Shape Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,槽栅型场效应晶体管)的SEB (Single Event Burnout,单粒子烧毁)敏感性的影响.模拟结果表明：增大P+Plug区深度、降低源区掺杂浓度、减小漏极偏置和入射离子的LET (Linear Energy Transfer,线性能量传输值)可有效降低SEB的发生；当入射离子的LET值较低时，斜入射比垂直入射更易引发SEB；功率UMOSFET的SEB的最敏感位置为栅极下方的径区中心。
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