表面等离激元增强ZnO基LEDs的电致发光研究

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yylove51

【摘要】

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ZnO拥有宽的直接带隙和高的激子束缚能,在短波长发光器件方面具有广阔的应用前景.但ZnO材料本身缺陷、p型掺杂困难使得空穴浓度不高以及高折射率和自吸收等特点,使得ZnO基发光器件面临发光效率不高的问题,阻碍了ZnO基发光二极管(LEDs)和激光器的实用化发展,提高ZnO基发光器件的紫外发光效率是实现其实际应用的重要一步.

【作者】

：

张兴旺张曙光游经碧董敬敬尹志岗

【机构】

：

中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,北京,100083

【出处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年9期

【关键词】

：

ZnO 发光二极管表面等离激元电致发光

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