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我们采用采用滴铸法制备出排列整齐的四硫富瓦烯单晶微纳线阵列，成功率可达到86％。在之前实验研究的基础上，我们做出了一点关键性的改善，即在室温条件下将衬底放置在充满饱和溶剂蒸汽的仪器装置中。这种饱和的溶剂气氛确保了稳定的生长环境以及充足的生长时间，可以成功率较高地生长出晶体阵列，并且极大地改善了它的结晶质量。