【摘 要】
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<正>氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ—Ⅵ族直接宽带半导体材料,其禁带宽度对应紫外光波长,是开发蓝、紫外光的发光器件的重要基础材料。由于ZnO和GaN具有相同的晶体结构和相近的晶胞参
【机 构】
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北京工业大学材料科学与工程学院; 信息产业部电子11所; 中国科学院化学所光化学重点实验室;
【基金项目】
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北京市教委和中国科学院化学所光化学重点实验室基金
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<正>氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ—Ⅵ族直接宽带半导体材料,其禁带宽度对应紫外光波长,是开发蓝、紫外光的发光器件的重要基础材料。由于ZnO和GaN具有相同的晶体结构和相近的晶胞参数,所以ZnO还可以作为蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的缓冲层。1997年Zu P等证实ZnO在紫外实现了受激发射,更加引起人们广泛关注。人们认为ZnO材料有可能制成紫外半导体激光管,那将是波长最短的半导体激光器件,对激光存储有重要意义。研究中采用钠钙硅玻璃载玻片作为基片,醋
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