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介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的制备原理及制备技术.对多晶硅成膜质量进行了分析,分析了影响多晶硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率的因素及原因.最后对用硅烷作反应气体的多晶硅薄膜制备工艺技术进行了简单总结。
LPCVD多晶硅薄膜制备技术
【摘 要】
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介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的制备原理及制备技术.对多晶硅成膜质量进行了分析,分析了影响多晶硅薄膜均匀性、致密性、淀积速率的因素及原因.最后对用硅烷作反应气体
【机 构】
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中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川绵阳,621900
【出 处】
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第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛
【发表日期】
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2006年8期
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