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Molecular Dynamic Simulations of the Temperature Effect On H Interacting With SiC Surface
【机 构】
:
KeyLaboratoryofRadiationPhysicsandTechnology(SichuanUniversity),MinistryofEducation;InstituteofNucle
【出 处】
:
第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会
【发表日期】
:
2010年11期
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