【摘 要】
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本课题组的前期工作表明[1]，在MCM-41中引入25 wt％ZSM-5明显提高了Ni-Mo催化剂的HDS活性;但也增加了催化剂的裂化活性，使得许多产物裂化为小分子，降低了液收。为了克服上述缺点，本文合成了包覆型MCM-41-ZSM-5复合分子筛。以二苯并噻吩(DBT)为模型化合物，考察MCM-41-ZSM-5复合分子筛担载Ni-Mo催化剂的HDS性能，以期在提高催化剂HDS活性的同时，降低其裂化
【机 构】
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大连理工大学,大连 116012;中石化催化剂抚顺分公司,抚顺 113001 中石化催化剂抚顺分公
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本课题组的前期工作表明[1]，在MCM-41中引入25 wt％ZSM-5明显提高了Ni-Mo催化剂的HDS活性;但也增加了催化剂的裂化活性，使得许多产物裂化为小分子，降低了液收。为了克服上述缺点，本文合成了包覆型MCM-41-ZSM-5复合分子筛。以二苯并噻吩(DBT)为模型化合物，考察MCM-41-ZSM-5复合分子筛担载Ni-Mo催化剂的HDS性能，以期在提高催化剂HDS活性的同时，降低其裂化活性，开发一种高效的深度HDS催化剂。
其他文献
畴壁钉扎模型的矫顽力可以表示为H(T)= α2K/M-NM,本文计算了微结构参数α随面缺陷内磁性参数A′和K′的变化情况,结果表明αFeB磁体晶界的磁性参数和厚度对α的影响,当A′/A=0.5,K′/K=0.1时,晶界厚度r=3.3nm时,α最大.对于复相NdFeB+α-Fe磁体,当α-Fe晶粒尺寸r=7.0nm时,α最大.
研究了Pr-Co-Cu-Ti高温磁体的相结构和磁性.X射线衍射分析表明,高Cu含量样品经均匀化处理后形成单一的1:7相,再经时效处理后转变为1:5相和2:17相两相共存.磁性测量表明,这种材料的矫顽力随温度的变化具有反常的温度系数.并发现Cu的含量极大的影响着样品的矫顽力以及矫顽力随温度的变化.对这种材料的矫顽力机制进行了深入的分析.
通过优化制备磁性隧道结的实验和光刻工艺条件,制备出具有室温高磁电阻和低电阻的高质量磁性隧道结,300℃退火前后其室温磁电阻比值、结电阻、结电阻和结面积的积矢及自由层的偏转场分别达到22﹪和50﹪、31和41Ω、3100和4100Ωμm、26和23.5Oe.退火前外加磁场在21.3和26.0 Oe之间增加时室温磁电阻比值从4.5﹪跳跃增加到20.6﹪,磁场灵敏度达到3.4﹪/Oe;300℃退火1小时
利用金属掩膜法,优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,同时利用狭缝宽度为100μm的金属掩膜直接制备出室温磁电阻比值为41.5﹪的磁性隧道结,其结电阻为1.87Ω,结电阻和结面积的积矢为1.87×10Ωμm,自由层的偏转场为6.2Oe,并且在外加磁场4.6和6.2Oe之间时室温磁电阻比值从0.5﹪跳跃增加到33.5﹪,磁场灵敏度达到20.6﹪/Oe.结果表明,这种金属掩膜法制备的磁性隧道结可用于磁
使用X光衍射仪;透射电镜和交变梯度磁强计等设备对真空蒸镀的Co/Mo多层膜的结构和磁性进行了分析,发现多层膜中Co层厚度的变化,对多层膜中Co的原子磁矩都有较大的影响,通过假设界面层中的Co原子为非磁性的理论,得出多层膜中Co的平均原子磁矩同Co层厚度成反比,并由此推断出Co/Mo界面层厚度.
我们研究了一系列Co/CoO(t)双层膜的静态磁特性,发现在90-220K的范围内,当CoO尚处于顺磁状态时,系统的磁滞回线已具有明显的交换偏置现象.我们测量了样品的XPS谱和原子百分比,发现在Co/CoO界面有一层很薄的CoO层,这是由于CoO和Co层相互扩散形成的.系统的偏置效应正是CoO与Co的交换耦合的结果.
实验研究了LaNaMnO的相稳定性,实验发现,在1573K能合成x≤0.25的单相LaNaMnO,而x≥0.3的样品则发生相分离.
采用一种新的种子层材料:(NiFe)Cr,通过改变种子层中Cr原子的含量,使得在其上生长的NiFe/FeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差异,系统研究了NiFe/FeMn双层膜中FeMn晶粒尺寸和织构对室温下交换偏置场的影响.结果表明,在FeMn的γ相(111)织构较好的前提下,交换偏置场的大小与织构的差异没有关系;FeMn的晶粒尺寸对交换偏置场有很大影响,较小的反铁磁层晶粒对交换偏置场有利,
采用溶胶-凝胶法制备了LaKMnO和LaKMnO两种层状钙钛矿锰氧化物多晶样品,研究了乙酸(CHCOOH)超声处理后对LaKMnO和LaKMnO结构和磁性的影响.结果表明,超声取代可以提高样品的结晶度,对样品的结构及磁性能也有较大影响.本文对上述现象的可能原因也进行了初步讨论.
本文对NdSrPbMnFeO系列多晶样品的结构,磁和磁转变特性进行了实验研究.在x=0.00-0.10的范围内获得了单相样品,Fe的替代并没有引起整个系列的结构变化,然而Mn位的掺杂却强烈地抑制了NdSrPbMnO的铁磁性和金属-绝缘体转变.在低掺杂情况下(x≤0.06)Mn被Fe替代,金属-绝缘体转变温度T平均下降了19K,当x≥0.08铁磁态完全过渡为绝缘态.这主要归因于Fe的渗入影响了化合物