彝族聚居区农村义务教育学生营养改善效果评价

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探索行之有效的少数民族地区农村学生背养改善之路,提高少数民族地区农村学生体质与健康水平,对彝族聚居区农村义务教育学生营养改善效果评价。
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稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的热门领域.对稀铋材料的初步研究发现有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等.因为铋元素是五族元素中最大最重的元素,当被引入三五族化合物中时,会形成最大的自旋轨道耦合,价带边上升,剪裁能带.在本文中,详细介绍利用V90GSMBE生长掺碳InGaAs
Si和Ge是间接带隙半导体,它们的发光效率不高.但是,在Ge中引入一定含量的Sn可以使其变成直接带隙,大大提高发光效率.目前,在使用分子束外延生长GeSn合金的研究中,常使用与GeSn合金的晶格常数接近的锗或者三五族材料作为衬底.但是,锗衬底和三五族衬底不仅价格昂贵,微加工手段复杂,也无法与标准CMOS工艺相结合,无法直接转移到硅衬底上.本文研究在硅衬底上低温外延高锗含量的GeSi合金,以此作为生
锗锡(GeSn)合金由于带隙属性和大小可调以及高迁移率的特性,已经成为拓展当前硅基光电器件应用领域的潜力材料.锗本身是一种不利于发光的间接带隙半导体材料,但是,当向锗中加入锡后,能带结构将发生改变,并于锡组分达到7%时转变为直接带隙.GeSn二元系统的热平衡固体互溶度仅有1%,偏析是高质量GeSn合金生长中最大的挑战.
报道了碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展.使用反射式高能电子衍射分析在线监测生长过程,分析HgCdTe材料大缺陷形成原因并提出解决方案,优化了Si基中短波双色HgCdTe材料阻挡层生长工艺,解决了双色HgCdTe材料缺陷较大的问题.获得了具有良好晶体质量的Si基中短波双色HgCdTe材料.双色HgCdTe材料表面缺陷密度控制在2000cm-2以内.使用傅里叶转换红外线光谱分析仪(F
文章报道了基于分子束外延碲镉汞(MCT)短/中波双色材料、器件的最新进展.采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料,并优化了材料质量,材料表面缺陷密度控制在800cm-2以内,通过扫描电子显微镜可以看出各层材料间界面陡峭;使用傅里叶转换红外线光谱分析仪(FTIR)、XRD等方法对材料进行了表征;基于此材料制备出了短/中波碲镉汞组件,并对组件进行了全面的表征,性能良好,成像清晰.
锑化物带间级联激光器于1997年首次由杨瑞青教授提出,是由导带和价带之间的跃迁来实现电子和空穴的辐射复合,每个有源区通过类似量子级联结构串联方式连接,结合了传统半导体激光器带间跃迁和量子级联激光器串联连接的优势,如量子效率高、载流子注入均匀、阈值电流密度和功耗低等优点.另外有源区为Ⅱ型能带结构,易通过改变InAs和InGaSb层的厚度及InGaSb中的In组分进行调节波长.其激射波长处于红外波段,
衡阳市东洲湘江大桥目前国内单箱梁体最宽的单索面矮塔斜拉桥,为满足深水基础施工,采用双壁钢围堰结构形式.结合主墩承台水文地质情况,选取常用围堰结构的使用情况和结构特点进行针对性的选型分析,采取不同的封底厚度,对在不同的施工工序下,双壁钢围堰进行受力分析,采用Revit软件对双壁钢围堰进行建模,经深化设计、施工模拟等过程,选出了最优良和经济的围堰施工方案(围堰高14米,封底厚度2米),并成功用于东洲湘
异型板等超静定结构桥梁对变形要求严格,托换时顶升力的确定极为重要.异型板桥梁长期使用过程中,由于混凝土徐变、桩基不均匀沉降等因素导致桥梁产生内力重分布,使桥梁实际受力与理论计算不一致,如果用理论计算的顶升力进行桩基主动托换,会导致超静定结构桥梁再次产生内力重分布,且此次内力重分布过程是短暂的,极容易引起桥梁结构发生变形或产生裂缝.本文通过地面预支顶现场试验测定支座的实际受力,并与理论计算进行对比分
本文重点研究了外伸翼缘对带肋箱形压弯杆件弹塑性屈曲特性的影响.通过ANSYS建立了有限元数值模型,进行弹塑性屈曲分析,并研究局部屈曲波形及传递特征.研究表明,翼缘厚度对箱形杆件的极限承载力影响大,较厚板屈曲波形传递远,幅值大;翼缘宽度对塑-弹性屈曲系数影响不同.翼缘板厚度位于17.6mm~88mm时,外伸翼缘带肋箱形压弯杆件截面弹塑性屈曲性能最好.
采用工程类比、理论计算和数值模拟等方法对煤矿井下巷道锚网梁索支护参数进行了合理选取,并在1307工作面机巷实施,采取顶板钻孔窥视、巷道表面位移、顶板离层和锚杆受力等矿压监测手段,监测巷道围岩变形与破坏情况,对支护的安全可靠性进行评价,降低了巷道支护风险,为同类矿井支护参数选取与矿压观测研究提供了依据.