【摘 要】
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采用电沉积方法制备了纳米Ni针锥场发射阵列,通过扫描电子显微镜(SEM)观测了纳米Ni针锥阵列的微观形貌,利用真空场发射测试系统了其场发射性能。测试结果表明纳米Ni针锥阵列具有低的开启电场,为5～6.7V/μm(对应场发射电流1μA)和大的场发射电流,为155～206μA.研究了研究纳米针锥的尺寸和排布对阵列场发射性能的影响.
【机 构】
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上海交通大学材料科学与工程学院微电子材料与技术室
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采用电沉积方法制备了纳米Ni针锥场发射阵列,通过扫描电子显微镜(SEM)观测了纳米Ni针锥阵列的微观形貌,利用真空场发射测试系统了其场发射性能。测试结果表明纳米Ni针锥阵列具有低的开启电场,为5～6.7V/μm(对应场发射电流1μA)和大的场发射电流,为155～206μA.研究了研究纳米针锥的尺寸和排布对阵列场发射性能的影响.
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