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由于氮化物半导体材料在电子以及光电子器件的广泛应用,硅衬底上外延Ⅲ族氮化物半导体越来越引起学术界和产业界的重视.由于硅衬底本身是非极性的,在硅衬底上外延氮化物半导体的极性问题成为研究的重点之一.本文主要研究了分子束外延(MBE)生长硅基AlN材料的极性控制、反极性畴的抑制以及材料特性.本文创新性地提出了β相氮化硅铝化的方法来抑制反极性畴的产生,获得了近乎单一极性的AlN薄膜材料.