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该文研究了影响被刻蚀二氧化硅厚度，二氧化硅／光刻胶蚀选择比的工艺因素。在实验基础上，通过曲线拟合法求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工艺参数的定量关系。文中还介绍了在给定工艺条件下单片内，片间以及批间被刻蚀二氧化硅厚度的均匀性和重复性。
二氧化硅干法刻蚀工艺实验研究
【摘 要】
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该文研究了影响被刻蚀二氧化硅厚度，二氧化硅／光刻胶蚀选择比的工艺因素。在实验基础上，通过曲线拟合法求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工艺参数的定量关系。文中还介绍了在给定工
【机 构】
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大学微电子学研究所(北京)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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