【摘 要】
：
在Si衬底上,以LaNiO3(LNO)为过渡层,用溶胶-凝胶旋涂法制备了沿(115)晶面高度择优取向的SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜,在氧气氛围下,分别在四个不同的温度(600℃、650℃、700
【机 构】
：
广东工业大学物理与光电工程学院广州510006
【出 处】
：
第十四届全国电介质物理、材料与应用学术会议
论文部分内容阅读
在Si衬底上,以LaNiO3(LNO)为过渡层,用溶胶-凝胶旋涂法制备了沿(115)晶面高度择优取向的SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜,在氧气氛围下,分别在四个不同的温度(600℃、650℃、700℃、750℃)下退火,研究了不同温度处理下SBT 薄膜的晶体结构、铁电漏电性能以及磁性能.在SBT 薄膜表面溅射了一层半径0.1mm 的Au 为顶电极,以LNO 为底电极,室温下测得P-E 曲线发现650℃、700℃下退火处理所得SBT 薄膜剩余极化强度Pr 超过1uC/cm2,其中700℃退火所得SBT 薄膜剩余极化强度为7.16uC/cm2,饱和极化强度Ps 为13.55uC/cm2.漏电流测试发现750℃退火的SBT 漏电流最小,即使在7V 的电压下,其漏电流也不会超过10-5A/cm2,漏导机理均呈欧姆导电机制.室温下测量薄膜样品的磁性能,分析发现700℃退火处理的SBT/LNO多层膜呈超顺磁性.
其他文献
相比于传统的PZT压电陶瓷,铅基弛豫铁电单晶的压电常数虽高,但压电性能的温度稳定性较差,这也阻碍了该类晶体在高温压电器件中的应用。因此,提高单晶压电效应的温度稳定
铋层状材料是一种类钙钛矿材料，其结构由一定层数的钙钛矿层和铋氧层沿c 轴方向周期排列而成，化学通式为：(Bi2O2)2+ (Am-1BmO3m+1)2-，其中m 值对应于类钙钛矿层中氧八面体的
随着电子技术微型化的发展，铁电制冷作为高效固态制冷技术之一日益成为颇具吸引力的研究课题.钛酸锶钡是钛酸钡与钛酸锶形成的钙钛矿结构连续固溶体，其居里温度和介电常数
电畴和畴壁以及电畴的运动对压电铁电材料的电学性能的影响很大.Pb1.15(Zr0.52Ti0.48)O3 压电薄膜是典型的钙钛矿型压电铁电材料,通常都是研究的在氧气条件下研究退火对
铅毒性使与铅基压电、铁电材料相关的设备和器件在生产、利用及回收过程中给环境和人类生活带来了很大的影响.因此基于生物相容性及环境保护的考虑,世界各国的科研人员正
我们研究了激光的能量密度和沉积氧压对脉冲激光沉积的SrTiO3 薄膜化学计量比的影响.研究发现符合化学计量比的SrTiO3 薄膜具有一个较宽的生长窗口，即当生长氧压接近或者
用磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备掺钕铁酸铋多铁性薄膜(Bi0.875Nd0.125)FeO3 (BNF) 和铁电薄膜(Ba0.65Sr0.35)TiO3 (BST),形成单层BNF/Pt/Ti/SiO2/Si(100) 薄
本文使用脉冲激光沉积法(PLD)分别在SrTiO3(001)和Nb-SrTiO3(001)衬底上制备了高质量外延EuTiO3(ETO)薄膜.采用高温(1000℃)、氢气气氛退火,消除生长过程中引入的内应力
本工作主要通过多种方法制备铁电纳米岛及铁电纳米电极结构,并利用压电显微镜和导电显微镜对其微区压电和电导特征进行表征.通过脉冲激光沉积(PLD)和多孔氧化铝模板 (AAO
Envisioned as emerging building blocks for photovoltaic devices,semiconductor nanocrystals (NCs) possess unique properties determined by the quantum confine