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本文通过射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术制备非晶硅锗薄膜太阳电池。主要采用增大反应气体气压的方法，将沉积速率提高至3-4./s。在较高氢稀释结合较高功率的工艺条件下获得光敏性达到105的非晶/微晶过渡区a-SiGe 材料。将此本征a-SiGe 材料应用至p-i-n 型单结a-SiGe 电池，转换效率达到7.13％。