金离子注入硼掺杂金刚石薄膜电极材料的表征和作为传感器应用

来源 :第十届全国博士生学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yahu911
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利用离子注入技术将金离子直接注入在硼掺杂金刚石(Boron-doped diamond,BDD)薄膜表面,制得离子注入纳米金功能化硼掺杂金刚石材料(AuNPs/BDD).利用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)等表面分析手段对通过离子注入方式形成的纳米金的价态形貌以及注入前后BDD基底变化进行表征和分析.结果表明,在加速电压为20 keV,BDD表面的金是以Auo价态的纳米颗粒形式存在,颗粒在BDD表面分布均匀,平均粒径为20 nm.注入之后BDD基底的拉曼光谱Sp3/sp2的比例变化不大,说明低能量的金离子注入对基底结构影响不大.利用循环伏安法表征后发现AuNPs/BDD可以增加电极表面积.AuNPs/BDD材料制成的电极对多巴胺小分子进行了研究,发现该电极能够提高对多巴胺的电化学催化活性并,且该电极有较高的选择性.多巴胺检测的线性范围为2×l0-6~8×l0-4mol·L-1,检测限为8×l0-7mol·L-1.因此,离子注入法制成的AuNPs/BDD可在化学传感器方面有应用潜力.
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