【摘 要】
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生长亚微米级铜铟镓硒太阳能电池的吸收层可以极大的降低生产时间及成本，但是一般情况下也会导致铜铟镓硒吸收层在长波段的吸收损失.在本研究中，我们报告了一种新的生长玻璃基底的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法.运用此种方法我们生长了包含不同镓铟比(0.3<[Ga]/([Ga]+[In])<0.6)吸收层的电池，吸收层的厚度均约为0.9微米.
【机 构】
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香港中文大学物理系,香港沙田 中国科学院深圳先进技术研究院光伏太阳能中心,深圳 518055
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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生长亚微米级铜铟镓硒太阳能电池的吸收层可以极大的降低生产时间及成本，但是一般情况下也会导致铜铟镓硒吸收层在长波段的吸收损失.在本研究中，我们报告了一种新的生长玻璃基底的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法.运用此种方法我们生长了包含不同镓铟比(0.3<[Ga]/([Ga]+[In])<0.6)吸收层的电池，吸收层的厚度均约为0.9微米.
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