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结合密码芯片的物理设计和工艺流程，分析、寻找半侵入分析的切入点，为分析者提供有参考意义的模型和分析方法。首先从密码芯片的物理模型开始，简述了从沙子逐步演变到多层结构密码芯片的过程，介绍了半侵入分析的常规试验环境，并通过物理能带原理分析了绝缘层、金属层和半导体层的物理特性，从而引申出了错误注入的切入点；接着，从表面物理分析着手，结合密码芯片布局方面考虑，以及各层次间表面观察的经验，逐层逐模块分析这些考虑和经验可能带来的分析启示，为激光等半侵入式分析准备；最后，针对一款高安全等级芯片进行半侵入分析，进一步佐证了表面物理分析在半侵入式分析中的重要性。