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电场、界面极化和自由体积孔穴尺寸对I,3的影响
电场、界面极化和自由体积孔穴尺寸对I,3的影响
来源 :第八届全国正电子谱学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:baiqing001
【摘 要】
:
本文研究高分子材料的界面极化、自由体积孔穴尺寸和电场效应都是影响I的重要因素,三者间存在竞争关系,极性效应和大自由体积孔穴尺寸对I的影响大与电场效应.
【作 者】
:
孙旭东
郑厚天
何宁德
杨志
王天民
郑小明
齐陈泽
浙江大学化学系
【机 构】
:
绍兴文理学院化学系北京航空航天大学理学院浙江大学化学系
【出 处】
:
第八届全国正电子谱学会议
【发表日期】
:
2002年6期
【关键词】
:
高分子材料
正电子湮没寿命谱
自由体积孔穴
界面极化
晶体缺陷
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本文研究高分子材料的界面极化、自由体积孔穴尺寸和电场效应都是影响I<,3>的重要因素,三者间存在竞争关系,极性效应和大自由体积孔穴尺寸对I<,3>的影响大与电场效应.
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