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采用质量分析的低能氮离子束对ＳＩ－ＧａＡｓ表面作氮化研究，初步结果表明，在选用能量为５００ｅｖ、剂量为１×１０〈’１７〉ｃｍ〈’－２〉的Ｎ〈’＋〉离子作用于室温衬底后，可以得到绝缘性质良好，界而态密度不高的优质氮化层。
GaAs表面的离子束氮化
【摘 要】
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采用质量分析的低能氮离子束对ＳＩ－ＧａＡｓ表面作氮化研究，初步结果表明，在选用能量为５００ｅｖ、剂量为１×１０〈’１７〉ｃｍ〈’－２〉的Ｎ〈’＋〉离子作用于室温衬底后，可以得到绝缘性质良好，界而态密度不高的优质氮化
【机 构】
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科学院半导体所半导体材料科学实验室(北京)
【出 处】
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第五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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1996年期
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