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该文设计并研制了一个两级低噪声FET放大器，在放大器的设计过程中考虑了微带的色散、损耗、不连续对电路的影响，并编制了一个小型通用程序，研制的两极放大器的技术指标为，在频率15．5～16．6GHz范围内，增益为9．8±0．3dB，噪声系数＜3．9dB。（本刊录）
2公分低噪声场放的机辅设计
【摘 要】
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该文设计并研制了一个两级低噪声FET放大器，在放大器的设计过程中考虑了微带的色散、损耗、不连续对电路的影响，并编制了一个小型通用程序，研制的两极放大器的技术指标为，在频率1
【机 构】
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南京电子技术研究所
【出 处】
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87年全国微波会议
【发表日期】
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1987年期
其他文献
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