INTEL 80C196KC20单片机与国产加固型80C196KC20RHA单片机抗辐射性能比较

来源 :第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangyng

【摘要】

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本文介绍了国产加固型的单片机80C196KC20RHA与INTEL产80C196KC20单片机的抗辐射性能,通过两种单片机系统在"闪光I"和Co辐照源的对比试验可以看出:该国产加固型的单片机抗电

【作者】

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詹峻岭赵刚徐曦赵汝清

【机构】

：

中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900

【出处】

：

第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

【发表日期】

：

2007年期

【关键词】

：

单片机系统加固型抗辐射性能瞬时电离辐射电离总剂量对比试验辐照源闪光能力产品

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本文介绍了国产加固型的单片机80C196KC20RHA与INTEL产80C196KC20单片机的抗辐射性能,通过两种单片机系统在"闪光I"和<60>Co辐照源的对比试验可以看出:该国产加固型的单片机抗电离总剂量的性能在5.88Χ10<3>Gy(Si)以上,远远高于INTEL的产品,而抗瞬时电离辐射的能力则相差不大.

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