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不同应用状态下80C196KC单片机γ总剂量效应异同性研究
不同应用状态下80C196KC单片机γ总剂量效应异同性研究
来源 :第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sese90
【摘 要】
:
本文以intel公司生产的80C196KC20为主要试验件,分别在程控计算机系统和单片机测试系统上进行γ总剂量试验,比较两系统之间的总剂量损伤差异,进一步探讨80C196KC20的总剂量损
【作 者】
:
曹雷团
崔帅
牛振红
李志峰
张力
【机 构】
:
北京航天长征飞行器研究所,北京9200信箱76分箱6号,100076
【出 处】
:
第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
:
2007年期
【关键词】
:
应用
状态
单片机
总剂量效应
总剂量损伤
计算机系统
总剂量试验
损伤效应
测试系统
试验件
生产
程控
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本文以intel公司生产的80C196KC20为主要试验件,分别在程控计算机系统和单片机测试系统上进行γ总剂量试验,比较两系统之间的总剂量损伤差异,进一步探讨80C196KC20的总剂量损伤效应。
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会议
商用器件
石英晶体振荡器
中子辐照
抗中子辐射
生产厂
电子系统
试验原理
辐射能力
辐射加固
抗辐射
批次
方法
优良的抗辐射非易失存储器─S0I基的MRAM
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半导体存储器
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集成
机理
构成
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会议
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控制电路
总剂量
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同时检测
检测电路
放大功能
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输出
“上师大5号”巨胚水稻巨胚基因分子标记的建立
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期刊
Shangshida No.5
Giant embryo rice
Giant embryo gene
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会议
γ总剂量
总剂量辐射
器件
抗辐射
辐射能力
工艺
辐射设计
版图设计
加固
计时
产品
全耗尽S0IMOSFET器件总剂量抗辐射的研究
本文主要研究了全耗尽SOIMOSFET的总剂量的抗辐射特性,特别是不同的偏置条件下器件对总剂量的抗辐射的能力。着重分析了埋氧层以及在埋氧层/顶硅界面处的电荷以及伴随的电场
会议
砷化镓集成电路辐照试验研究
砷化镓集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各种领域,尤其是航天航空方面.但电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,我所在对对单管器件进行了辐照试验,获得可
会议
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本文分析了当前主流半导体加工工艺中的离子注入、干法刻蚀和光刻胶灰化等工艺过程对抗辐照功率VDMOS栅氧化层产生损伤的机理,针对提高抗辐照功率VDMOS栅的可靠性进行了栅氧
会议
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用钴-60γ射线对功率MOS晶体管进行辐照实验,研究了器件阀值电压、漏源击穿电压、截止漏电流等电参数在不同偏置条件下的退化规律.对实验结果进行了分析讨论.实验表明,在相同
会议
偏置
功率
场效应晶体管
总剂量
辐射性能
辐照实验
辐射剂量率
退化规律
器件
击穿电压
辐照损伤
阀值电压
漏电流
电参数
γ射线
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会议
偏置电流
双极晶体管
伽马
辐照效应
总剂量效应
集电极
物理机理
退化程度
损伤程度
实验现象
电荷模型
电场模型
室温下
空间
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