【摘 要】
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以二次阳极氧化的氧化铝膜为模板,一种以溶胶凝胶的方法,先将氧化锡溶胶灌入模板微孔中,在600℃烧结10h得到有序的SnO2纳米线阵列;另一种,用电化学沉积的方法,先在模板微孔中
【机 构】
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中科院合肥智能机械研究所中国科学院研究生院; 中科院固体物理研究所中国科学院研究生院;
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以二次阳极氧化的氧化铝膜为模板,一种以溶胶凝胶的方法,先将氧化锡溶胶灌入模板微孔中,在600℃烧结10h得到有序的SnO2纳米线阵列;另一种,用电化学沉积的方法,先在模板微孔中沉积金属锡,然后在600℃高温下氧化10h得SnO2纳米线阵列。XRD、SEM和TEM分析手段对这两种样品分别进行了表征,结果表明,两种方法制备的SnO2纳米线晶型均为四方相多晶结构,有序,均匀,连续,长径比高;不同的是溶胶凝胶方法制备的纳米线粗糙,而电化学沉积方法制备的纳米线光滑。两种都是制备大面积SnO2纳米线阵列非常有效的方法,并对其生长机理进行了探讨。
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