【摘 要】
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本文根据国外的参考文献上的实验模型和实验结果,对目前国内较新的SOI/SDB双极型晶体管进行可靠性评价实验,通过对反偏集电极电流IC,反偏基极电流IR,正偏输出特性下的基极电流IB和电流放大倍数β的测量,找出β和时间t之间的关系,从而推算出在各个偏压下,晶体管的使用寿命和β随时间变化的情况,并且建立了初步的模型.
【机 构】
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华南理工大学应用物理系,广州,五山,510641 信息产业部电子第五研究所,广州东莞庄路110号,
【出 处】
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2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会
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本文根据国外的参考文献上的实验模型和实验结果,对目前国内较新的SOI/SDB双极型晶体管进行可靠性评价实验,通过对反偏集电极电流IC,反偏基极电流IR,正偏输出特性下的基极电流IB和电流放大倍数β的测量,找出β和时间t之间的关系,从而推算出在各个偏压下,晶体管的使用寿命和β随时间变化的情况,并且建立了初步的模型.
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