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InAs单晶原生缺陷退火研究
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料重点实验室,北京,100083
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年3期
其他文献
Performance Variation in Mono-Layer MoS2 Tunnel Transistors Due to Gate Oxide Thickness Fluctuations
会议
半导体量子点是三维受限的零维结构，具有类似原子的分立能级，可以利用光激发分立能级，产生电子空穴对，同时电场磁场调制其能级，便于相干操控，由于其在量子信息科学领域具有良好的应用价值，近年来受到了广泛的关注。对单量子点中电子空穴波函数的精确调制，是实现量子信息计算与自旋比特的迫切需要。
InN is regarded as one of the representatives of the third generation of semiconductor.As the experiment confirmed that the narrow band gap of InN material,then greatly broadened the scope of applicat