【摘 要】
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采用高温固相反应方法合成了Eu2+掺杂Sr3MgSi2O8基质荧光粉,测定材料的UV-VUV激发光谱、发射光谱和X射线激发发射光谱等。研究结果发现,Sr3MgSi2O8:Eu2+材料在200-450 nm较宽
【机 构】
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岭南师范学院化学化工学院; Faculty of Applied Sciences,Delft University of Technology;
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采用高温固相反应方法合成了Eu2+掺杂Sr3MgSi2O8基质荧光粉,测定材料的UV-VUV激发光谱、发射光谱和X射线激发发射光谱等。研究结果发现,Sr3MgSi2O8:Eu2+材料在200-450 nm较宽范围有强的吸收,且在紫外光(360 nm)激发下发出较强的蓝绿光发射(460 nm),在近紫外/紫外芯片激发的LED照明领域有潜在的应用。在X射线激发下,Sr93-x)EuxMgSi2O8系列荧光粉有较强的发射,其中Sr3MgSi2O8:0.01Eu2+材料的光产额为商用BaF2的5倍,是一种潜在的闪烁体材料。
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