不同取向生长的(ZrSn)TiO4薄膜的介电性能研究

来源 :第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:pzbisyt
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本文采用射频(RF)磁控溅射方法。以Pt/Ti/SiO2/Si(100)为衬底材料,制备了不同择优取向生长(111)和(200)的(Zr0.8,Sn0.2)TiO4(ZST)薄膜。运用X-射线衍射(XRD)和原子力扫描显微镜(AFM)对ZST薄膜的微结构和表面形貌进行了研究。研究了不同取向生长ZST薄膜低频下的介电性能,发现取向生长对薄膜的介电性能影响较大,(111)择优取向生长的薄膜的介电性能要好于(200)择优取向生长的薄膜。在100kHz的频率下(111)和(200)取向生长的薄膜介电常数分别为38和30,介电损耗在100kHz的频率下分别为0.006和0.015。
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