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本文介绍了最新研制的钨铱合金基阴极的制备过程及发射性能。浸渍了普通铝酸盐的合金基阴极在1100℃<,b>,获得了52A/cm<2>的“拐点”发射电流密度；浸渍了钪酸盐的合金基阴极在1003℃<,b>,获得了39A/cm<2>的“拐点”发射电流密度。采用Miram曲线和实际功函数分布的办法计算了合金基阴极的实际功函数分布,并与覆膜阴极及浸渍钪酸盐阴极的实际功函数分布进行了对比。