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该文报道了GaAs VCSEL/MISS混合集成光子“或”门的制备及其特性。制备GaAsMISS光电开关工艺中，将MBE生长的超薄AlAS层氧化为AxOy层，并将AxOy用作MISS器件的超薄半绝缘层，这一方法解决了制备MISS器件的关键工艺即制备重复性、均匀性、稳定性好的超薄半绝缘层。在成功地研制出VCSEL和GaAsMISS的基础上制备出了VCSEL/MISS的混合光子“或”门。此集成器件可用于自由空间光互连或光计算。