超四面体硫簇半导体的点空位缺陷电化学发光研究

来源 :第十三届全国电分析化学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jsjfyy
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  缺陷种类、浓度分布等与功能材料的性能密切相关,深度理解和揭示材料中不同缺陷的特性,对合成性能优异的功能材料、并对调控其性能具有重要意义。超四面体半导体簇既具有半导体材料优异的光电化学性能,同时还可作为“准原子”结构单元组装成具有三维开放骨架和离子交换及催化特性的类分子筛化合物,这使超四面体半导体簇在构建高灵敏、高选择性生物传感方面具有巨大的潜力。
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