本公司自主研发了25um像元,384x288阵列规模的非制冷红外焦平面探测器。该探测器采用非晶硅微测辐射热计技术,其读出电路(ROIC)采用0.35um的标准CMOS半导体工艺设计及制造,焦平面微桥阵列采用自主设计研发的介质牺牲层表面微加工工艺技术与读出电路单体集成,制造完成的焦平面芯片采用金属外壳真空封装。本文将详细介绍25um像元,384x288阵列规模的非制冷红外焦平面探测器的设计原理,读出电路以及微桥阵列的设计仿真结果将与测试结果相对比。自主研发的介质牺牲层表面微加工工艺技术与常用的聚酰亚胺工艺牺牲层相比,具有更好的CMOS工艺兼容性,可实现更高的工艺稳定性和合格率。对探测器的性能进行了充分的测试验证,探测器的噪声等效温差(NETD)达到60m K以下,可操作率高于99.5%。测试结果表明该焦平面探测器可以满足绝大多数热像测温以及夜视应用的要求。