【摘 要】
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设计了基于SMIC0.18μm CMOS工艺的应用于北斗二号接收机全差分低噪声放大器，中心频率为1561.098MHz。为减小芯片面积和提高电路性能，改善了输入匹配电路，从而解决了栅极电感的
【机 构】
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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州 310018
【出 处】
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2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议
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设计了基于SMIC0.18μm CMOS工艺的应用于北斗二号接收机全差分低噪声放大器，中心频率为1561.098MHz。为减小芯片面积和提高电路性能，改善了输入匹配电路，从而解决了栅极电感的集成问题，同时采用交叉耦合电容，提高了共栅管的跨导。仿真结果表明：该低噪放的噪声系数为2.045dB，功率增益S21为19.684dB，输入反射系数S11和输出反射系数S22分别小于-13dB和-40dB，反向隔离S12小于-40dB，线性度IIP3大于-5.5dBm，在1.8V电压下的总功耗为16mW。
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