【摘 要】
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<正>缺陷不可避免地存在于所有材料中。半导体材料中的缺陷直接影响材料的光物理行为,如导电性、光敏性以及光催化性能等1。缺陷会引发其周围电荷的重排,空间上形成局域化的
【机 构】
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吉林大学化学学院表面与界面化学吉林省重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目(21473073);吉林省科技发展计划项目(20170101171JC);吉林省教育厅“十三五”科学技术研究项目(2016403)资助
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<正>缺陷不可避免地存在于所有材料中。半导体材料中的缺陷直接影响材料的光物理行为,如导电性、光敏性以及光催化性能等1。缺陷会引发其周围电荷的重排,空间上形成局域化的电子态,并形成相应的缺陷态能级2;当表面缺陷能级在热力学上满足催化反应的条件时,表面缺陷同时具有提供反应活性位、提高电荷传输等动力学方面的优势3,因此,有效地利用表面缺陷可以为半导体光催化剂的设计提供了一些新的思路4,5。本文在课题组前期硫化物半导体纳米粒子构建基础上,对其结构和表面性质、尤其是表面缺陷性质和成因进行了较
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