声子是半导体材料中重要的低能元激发，特别是在中远红外、太赫兹频段被广泛使用的GaAs材料，其光学声子频率落在太赫兹频段，利用电子-光学声子散射，成功实现了共振声子型太赫兹量子级联激光器.在光栅耦合的太赫兹量子阱探测器(THz QWP)中，我们也发现了与光学声子相关的位于8.87 THz处的光电流响应峰(图1a).为了研究8.87 THz处的响应峰，我们制备了无耦合光栅的THz QWP器件，并采用斜入射的方式获得可引起子带跃迁的电场分量.结果发现在正入射的情况下，器件没有响应，可以认为这个响应峰不是由于热效应引起的.我们也计算了不同入射角度时器件吸收区的光强，发现在纵光学声子频率处，电场强度有很大增强.这一电场增强是由于纵光学声子对入射电磁波有非常强烈的吸收，转化为与光学声子相关联的极化场，间接实现了电场在THz QWP多量子阱区的增强，从而导致了8.87 THz处的响应峰.对于光栅耦合器件，我们发现在8.87 THz处的响应峰对应光栅引起的近场效应，而9.35 THz处的响应峰对应光栅的一级衍射模(图1b).通过优化THz QWP多量子阱结构参数，提高在8.87 THz处的子带跃迁矩阵元强度，有望实现超高灵敏度THz QWP.