【摘 要】
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我们系统地研究了在氧化硅衬底上纳米石墨烯的无催化剂直接生长.这种生长方式可以在相对较低的温度(大约550℃)下以甲烷气体作为碳源,采用远程等离子体增强化学气相沉积系统
【机 构】
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中国科学院 物理研究所,北京 100190
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
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我们系统地研究了在氧化硅衬底上纳米石墨烯的无催化剂直接生长.这种生长方式可以在相对较低的温度(大约550℃)下以甲烷气体作为碳源,采用远程等离子体增强化学气相沉积系统而实现.通过原子力显微镜,拉曼光谱,X射线光电子能谱,以及扫描隧道显微镜等表征手段表明纳米石墨烯样品具有sp2结构.为了更好的表征纳米石墨烯的性质,我们还做了从室温到低温(4K)的变温电学输运性质的测量.
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