垂直石墨烯的制备及场发射性质

来源 :2013年纳米、表面和Graphene科学与技术全国会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiangqiqi77

【摘要】

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石墨烯作为一种二维的材料,由于其独特的性质和广泛的应用前景,受到了人们的极大关注.竖直石墨烯存在大量的石墨烯边缘,可以提供高密度的场发射点,因此有望成为高效的场发射

【作者】

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姜丽丽杨天中刘飞申承民邓少芝许宁生刘云圻高鸿钧

【机构】

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北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,100190,北京广东省显示材料与技术重点实验室,中山大学物理科学与工程技术学院,510275,广州中国科学院化学研究所,100190,北京

【出处】

：

2013年纳米、表面和Graphene科学与技术全国会议

【发表日期】

：

2013年12期

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石墨烯作为一种二维的材料,由于其独特的性质和广泛的应用前景,受到了人们的极大关注.竖直石墨烯存在大量的石墨烯边缘,可以提供高密度的场发射点,因此有望成为高效的场发射材料.但如何可控的在基底上制备出大面积、形貌均匀、并具有较低开启电场、高电流密度以及良好的稳定性场发射性能的垂直石墨烯仍是一个挑战.

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