【摘 要】
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采用分析纯FeCl·6HO和NH·HO为主要原料,控制不同Cu
【出 处】
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四川省电子学会传感技术第十届学术年会
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采用分析纯FeCl<,3>·6H<,2>O和NH<,3>·H<,2>O为主要原料,控制不同Cu<2+/Fe<3+>摩尔比,采用均匀共沉淀法制备了Cu2掺杂。Cu<2+>掺杂α-Fe<,2>O<,3>纳米粉体,并以氧化铝陶瓷为基片利用厚膜工艺制得气敏元件。通过XRD、IR对样品的结构、活性等分析发现,Cu<2+>以类质同像的方式代替了α-Fe<,2>O<,3>晶格中的Fe<3+>,导致α-Fe<,2>O<,3>晶胞参数发生变化,进而提高了粉体活性及半导体性能。对元件的气敏性能测试及敏感机理研究表明,常温下元件对H<,2>、CH<,4>有一定的气敏效应,元件灵敏度与气体浓度之间具有较好的线性关系,Cu<2+>的引入提高了α-Fe<,2>O<,3>的灵敏度。实验得到了制备Cu<2+>掺杂α-Fe<,2>O<,3>气敏材料的最佳Cu<2+>/Fe<3+>。
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